25n120G极电压是多少
25n120G是一款常见的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，其极电压是1200伏。IGBT是一种结合了普通双极晶体管和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的优点的晶体管，具有低导通电阻和高耐受电压的优点。在许多高压和高功率的电子设备中，IGBT都是不可或缺的元件之一。25n120G的极电压高达1200伏，能够承受相当大的电压冲击和压力，使用时需严格按照规定操作，以确保设备的安全和稳定性。
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