IR2112是一种高速低侧(Negative) 双路驱动器芯片,适用于MOSFET和IGBT的驱动。这种芯片的特点是具有低电平输入的阈值电压和高电平的噪声抑制,能够有效地保护电路。IR2112的电路图如下:
![IR2112电路图](https://www.electronicshub.org/wp-content/uploads/2016/12/IR2112-Pinout.jpg)
IR2112的电路图中包含了两个独立的低侧驱动器,每个驱动器包含一个输入端、一个输出端和一个使能端。输入端接收控制信号,输出端连接MOSFET或IGBT的门极,使能端可以控制输出是否有效。IR2112的VCC端连接电源正极,VSS端连接电源负极。
IR2112的电路图中还包含了一个高速逻辑电路,用于将控制信号转换为高电平或低电平的驱动信号。这个逻辑电路的输出连接到两个低侧驱动器的输入端,以控制MOSFET或IGBT的导通和截止。
总的来说,IR2112的电路图非常简单,但是它具有良好的噪声抑制和保护功能,能够有效地控制MOSFET或IGBT的开关。因此,IR2112被广泛应用于工业控制、电力电子、电源等领域。
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