场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种电子器件,其原理是利用半导体中的电子场来控制电流,具有很高的输入电阻,适用于低功耗、高速度的放大和开关电路。场效应管广泛应用于各种电子设备中。
典型的场效应管电路包括放大电路和开关电路两种。
放大电路的基本结构是将场效应管放置在源极和漏极之间,通过控制电压来控制电流的流动。当控制电压加在栅极上时,电子场将改变栅极和源极之间的电势差,从而改变漏极电流的大小。这样,就可以通过调整栅极电压来控制漏极电流,实现放大信号的功能。
开关电路的基本结构是将场效应管放置在负载电路中,通过控制栅极电压来控制电流的开关。当控制电压加在栅极上时,场效应管将变成导通状态,电流将从源极流向漏极,负载电路将得到电能;当控制电压消失时,场效应管将变成截止状态,电流将停止流动,负载电路将停止工作。
场效应管具有许多优点,如高输入电阻、低噪声、低失真、高频特性好等,因此在各种电子设备中得到广泛应用。在现代电子技术中,场效应管已经成为了一种不可或缺的电子器件。
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